随着科学技术的不断发展，众多电源系统正在达成从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的技术转变。这将是IGBT (双极型半导体向绝缘栅双极型晶体管) 转变以来，功率半导体行业经历的最大变革。许多产业受其影响，也正在面临着变革。

产销刷新历史纪录、满意度直追燃油车、国际巨头竞相发力……在政策推进、市场需求等因素共同作用下，中国新能源汽车市场迎来了巨大变化。在市场预期不断向好的背景下，中国新能源汽车产业将如何发展，成为社会关注的焦点。

在未来十年，汽车产业将逐渐完成从内燃机向电动化转变。助力电动汽车满足消费者需求，提升新能源汽车的使用效率，同时符合针对气候变化影响的政府法规，碳化硅 (SiC)正在帮助新能源汽车“更上一层楼”。

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。因其良好的化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。使用碳化硅（SiC）材料可使新能源汽车的系统效率更高、重量更轻及结构更加紧密。碳化硅(SiC)的优势已经变得不可忽视。

目前 碳化硅（SiC）零组件在新能源车上应用主要是功率控制单元 (PCU)、逆变器，及车载充电器等方面。

功率控制单元： 此为车电系统的中枢神经，管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。 传统 PCU 使用硅原料製成，而强电流与高压电穿过硅制晶体管和二极体时的电能损耗是混合动力车最主要的电能损耗来源。使用碳化硅（SiC）材料则可大幅降低这过程中的电能损耗。

逆变器： 碳化硅（SiC）用在车用逆变器上，能够大幅度降低逆变器尺寸及重量，做到轻量化与节能。

车载充电器：因为良好的材料性能，碳化硅（SiC） 零组件正在加速渗透至车载充电器领域。 根据 Yole 统计，截至 2018 年有超过 20 家车厂在自家车载充电器中採用 碳化硅（SiC） SBD 或 碳化硅（SiC） MOSFET 零组件，且这一市场在 2023 年之前可望保持 44% 的增长。

碳化硅陶瓷基板作为一种新型材料具有许多独特的优点，它的应用和研究只是刚刚起步，还有非常大的发展空间，在不远的将来，碳化硅基板必将大放光彩。

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